一台美联C-20G电磁炉，通电待机时，LED显示“-----”。按启动加热．LED立即全部熄灭．不加热也不显示故障代码。　　　　该机主回路见下图。其机内采用阻值很小的康铜丝对整机电流取样。笔者怀疑康铜丝因长期受热伸缩使焊点接触不良，致使“过电流误报”。重新采用“含银焊锡”补焊后．故障依旧。　　　　估计微处理器已经检测到危及机器安垒的过流或过压信号。出现过载信号，首先要检查整流滤波电容C4、谐振电容c5．因为它们的正常工作电流峰值可达20A_50A。若电容引脚稍有瑕疵，其很小的接触电阻（电磁炉主回路电容质量标准规定，其等效串联电阻ESR不允许超过ImΩ）就足以使引脚发热．恶性循环致引脚与容极板接触电阻激增；同时，电容C4、c5的实际工作电压已经非常接近其额定电压，常偶发击穿现象。因C4、c5多为“自愈式电容”，    “自愈电容”在“自愈过程”中因为击穿处的电极金属薄膜气化，使极板有效面积减小而电容量减小，最终出现浪涌过电压：该过电压若被微处理器检测到则会强迫停机（否则击穿ICBT及爆保险管）。因此C4、C5是造成过流过压故障概率极高的元件．绝大多数IGBT的损坏源于C4、C5的故障。卸下C4．测试出该电容内部开路．更换新电容后电磁炉工作立即恢复正常。 　　　　C4开路为何会立即使LED数码管全部熄灭呢？为此，必须详细了解电磁炉主回路的工作过程：当该机电源线插头插入电源插座，再按下电源键启动加热程序．微处理器键盘扫描程序检测到启动加热指令．产生周期约50μs的振荡。下面详细介绍一个周期的工作过程：　　　　1．首先进入“探锅程序”：微处理器输出脉冲调宽(PWM)电压，使IGBT管栅极获得宽度6μs左右的正脉冲．IGBT导通，线盘激磁电流线性增加到峰值l+m（见右图中的T=O时刻），正脉冲结束．IGBT截止。　　　　2．L2电流不能突变，向c5充电。　　　　当c5充电到最大值（c5电压右正左负）时．L2电流（从左向右）下降到零（见右图的Tl时刻）。　　　　3．c5端电压不能突变．c5对L2放电．当c5端电压下降到零．L2电流（从右向左）逐渐至最大（见右图的T2时刻）。　　　　4．由于L2电流不能突变，电流先将c5充电（c5电压左正右负）电压逐渐增加。当c5端电压略超过C4端电雎(Up)时（见右图的T3时刻）．L2中电流改向C4经阻尼管Dl对C4充电（因C4容量较大．C4端电压略有增加）．能最回馈到C4（即电源）．直至L2电流减小到零（见右图的T4时刻）。
　　5．此后．因IG．BT已经导通（同步电路必须在T3至T4期间的某时刻给IGBT栅极加上正电压），在Up作用下，电流再次线性增加．进入下一个周期．当锅的材质、位置正常时．康铜丝两端输出的电压信号被微处理器检测到．判断为正常．微处理器再分阶段逐步增加PWM的“脉宽比”．使IGBT的导通期达到设定值（最大功率时，达32μs）．达到指定加热功率。　　　　当C4电容减小．或引脚接触电阻超限时．在线盘电流向C4经阻尼管D1对C4充电时．C4的端电压将大大
　　T4流经阻尼管的电流。上式表明．C4电容量减小．将使C4的电压峰值升高。C4的过电压经Ll连接到浪涌电压检测电路（VPC电路）后，一方面立即直接关断IGBT．另一方面向微处理器INT端发出中断请求．微处理器转“浪涌电压超限中断处理”程序：停止PWM输出．并使四只数码管全部熄灭，立即发出危险级别最高的警告。　　　　必须指出．L2中电流经C4、阻尼，管Dl对C4充电的过程，是L2在向负载提供能量后的剩余能器向电源回馈的过程（又称阻尼过程）。故一旦C4开路（电容量减小或引脚接触电阻增大）．整流桥被C4的端电压反偏而截止．剩余磁能释放途径受阻（阻尼系数小）又，重新储存到C5（回到L2、C5的振荡回路中）．则经若干个振荡周期的积累（外施电压的周期与LC振荡周期相近，产生共振）’．L2中的电流越来越大．c5的端电压越来越高。如不及时停止ICBT工作，过电压最终将击穿IGBT或c5、甚至危及整流桥（注：早期电磁炉的VPC信号多取自整流桥前市电的相线和零线．C4内部开路或引脚接触不良的最终结局多是IGBT或c5损坏）。　　　　C4开路引起的12电流增加．也使c5的电压峰Umc5、增加：

　　顺便指出．无锅时加热线圈电流的+Im和-Im几乎相等，其导通期获得的磁能在截止期几乎全部回馈给电源．平均电流几乎为零，因此从电源获取的平均电流很小．从电源获取的能量很小。加锅后电流正峰值I+m幅度增加．负峰值I-m幅度减小，电流的峰一峰值保持不变，整个电流曲线向上平移．加热线圈平均电流增加，从电源获取的电流增加．耗电鼍也增加。

　　一台美联C-20G电磁炉，通电待机时，LED显示“-----”。按启动加热．LED立即全部熄灭．不加热也不显示故障代码。　　　　该机主回路见下图。其机内采用阻值很小的康铜丝对整机电流取样。笔者怀疑康铜丝因长期受热伸缩使焊点接触不良，致使“过电流误报”。重新采用“含银焊锡”补焊后．故障依旧。　　　　估计微处理器已经检测到危及机器安垒的过流或过压信号。出现过载信号，首先要检查整流滤波电容C4、谐振电容c5．因为它们的正常工作电流峰值可达20A_50A。若电容引脚稍有瑕疵，其很小的接触电阻（电磁炉主回路电容质量标准规定，其等效串联电阻ESR不允许超过ImΩ）就足以使引脚发热．恶性循环致引脚与容极板接触电阻激增；同时，电容C4、c5的实际工作电压已经非常接近其额定电压，常偶发击穿现象。因C4、c5多为“自愈式电容”，    “自愈电容”在“自愈过程”中因为击穿处的电极金属薄膜气化，使极板有效面积减小而电容量减小，最终出现浪涌过电压：该过电压若被微处理器检测到则会强迫停机（否则击穿ICBT及爆保险管）。因此C4、C5是造成过流过压故障概率极高的元件．绝大多数IGBT的损坏源于C4、C5的故障。卸下C4．测试出该电容内部开路．更换新电容后电磁炉工作立即恢复正常。 　　　　C4开路为何会立即使LED数码管全部熄灭呢？为此，必须详细了解电磁炉主回路的工作过程：当该机电源线插头插入电源插座，再按下电源键启动加热程序．微处理器键盘扫描程序检测到启动加热指令．产生周期约50μs的振荡。下面详细介绍一个周期的工作过程：　　　　1．首先进入“探锅程序”：微处理器输出脉冲调宽(PWM)电压，使IGBT管栅极获得宽度6μs左右的正脉冲．IGBT导通，线盘激磁电流线性增加到峰值l+m（见右图中的T=O时刻），正脉冲结束．IGBT截止。　　　　2．L2电流不能突变，向c5充电。　　　　当c5充电到最大值（c5电压右正左负）时．L2电流（从左向右）下降到零（见右图的Tl时刻）。　　　　3．c5端电压不能突变．c5对L2放电．当c5端电压下降到零．L2电流（从右向左）逐渐至最大（见右图的T2时刻）。　　　　4．由于L2电流不能突变，电流先将c5充电（c5电压左正右负）电压逐渐增加。当c5端电压略超过C4端电雎(Up)时（见右图的T3时刻）．L2中电流改向C4经阻尼管Dl对C4充电（因C4容量较大．C4端电压略有增加）．能最回馈到C4（即电源）．直至L2电流减小到零（见右图的T4时刻）。
　　5．此后．因IG．BT已经导通（同步电路必须在T3至T4期间的某时刻给IGBT栅极加上正电压），在Up作用下，电流再次线性增加．进入下一个周期．当锅的材质、位置正常时．康铜丝两端输出的电压信号被微处理器检测到．判断为正常．微处理器再分阶段逐步增加PWM的“脉宽比”．使IGBT的导通期达到设定值（最大功率时，达32μs）．达到指定加热功率。　　　　当C4电容减小．或引脚接触电阻超限时．在线盘电流向C4经阻尼管D1对C4充电时．C4的端电压将大大
　　T4流经阻尼管的电流。上式表明．C4电容量减小．将使C4的电压峰值升高。C4的过电压经Ll连接到浪涌电压检测电路（VPC电路）后，一方面立即直接关断IGBT．另一方面向微处理器INT端发出中断请求．微处理器转“浪涌电压超限中断处理”程序：停止PWM输出．并使四只数码管全部熄灭，立即发出危险级别最高的警告。　　　　必须指出．L2中电流经C4、阻尼，管Dl对C4充电的过程，是L2在向负载提供能量后的剩余能器向电源回馈的过程（又称阻尼过程）。故一旦C4开路（电容量减小或引脚接触电阻增大）．整流桥被C4的端电压反偏而截止．剩余磁能释放途径受阻（阻尼系数小）又，重新储存到C5（回到L2、C5的振荡回路中）．则经若干个振荡周期的积累（外施电压的周期与LC振荡周期相近，产生共振）’．L2中的电流越来越大．c5的端电压越来越高。如不及时停止ICBT工作，过电压最终将击穿IGBT或c5、甚至危及整流桥（注：早期电磁炉的VPC信号多取自整流桥前市电的相线和零线．C4内部开路或引脚接触不良的最终结局多是IGBT或c5损坏）。　　　　C4开路引起的12电流增加．也使c5的电压峰Umc5、增加：

　　顺便指出．无锅时加热线圈电流的+Im和-Im几乎相等，其导通期获得的磁能在截止期几乎全部回馈给电源．平均电流几乎为零，因此从电源获取的平均电流很小．从电源获取的能量很小。加锅后电流正峰值I+m幅度增加．负峰值I-m幅度减小，电流的峰一峰值保持不变，整个电流曲线向上平移．加热线圈平均电流增加，从电源获取的电流增加．耗电鼍也增加。