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  在维修华硕、富士康、INTEL主板的时候,经常会遇到内存自检通不过的故障,具体的故障现象是:DEBUG显示BO、A7等代码,测量DDR内存槽⑦脚VCC_DDR,发现没有电压或电压偏低。目测主板的内存供电部分,通常会发现有一个八脚的MOSFET管4500M被烧毁,或测量其无电压输出。4500M为N、P双沟道复合MOSFET管,其引脚定义见上图。
  4500M在主板内存供电电路的典型应用线路见下图,4500M在此电路中的作用,就是提供3VDUAL电压,来为内存供电管提供D极的输入电压,也就是STR2.5V电压的来源。至于STR2.5V电压,是用来在系统进入S3状态时所使用,也就是Suspend toRAM(挂起到内存)状态,简称STR。顾名思义,STR就是把系统进入STR前的工作状态数据都存放到内存中去。在STR状态下,电源仍然继续为内存等最必要的设备供电,以确保数据不丢失,而其他设备均处于关闭状态,系统的耗电量极低。一旦按下Power按钮(主机电源开关),系统就被唤醒,马上从内存中读取数据并恢复到STR之前的工作状态。内存的读写速度极快,因此感到进入和离开STR状态所花费的时间不过是几秒钟而已。
  STR2.5V电压的用处,就是在系统进入S3状态时,提供给内存工作所需的电压。
  4500M的工作原理比较容易理解,VCC3的电压,通过4500M的转换,变为3VDUAL电压,3VDUAL电压,即为3V双供电,在系统待机进入S3状态时,由3VSB进行供电,而当系统开机工作后,则由VCC3来接替进行供电。这个过程是由4500M内的N、P沟道的MOS来完成的。在维修时,没有太大的必要考虑STR电压的作用,因为现在的顾客,很少有用到S3状态,他们使用的重点只是开机加电后。所以完全可以通过短接①脚的VCC3与⑤~⑧脚的3VDUAL方式,来为内存供电管提供3V的工作电压,但使用这种更改线路的方法,就失去了STR功能,也就不能将待机数据写入内存,从而不能完成睡眠和唤醒状态。

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